Sol-Gel法制備摻鋁氧化鋅薄膜及其性能研究.pdf

1、摻鋁氧化鋅（ZnO:Al）薄膜是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有可見光透過率高、紫外光吸收的特點(diǎn)。ZnO:Al薄膜的紫外吸收邊可隨摻鋁濃度增加而藍(lán)移，此性質(zhì)在短波光電器件領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價(jià)值，如紫外探測(cè)器件領(lǐng)域，因此對(duì)摻鋁氧化鋅薄膜的制備及其性能研究具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。本論文主要從事ZnO:Al薄膜的制備及其結(jié)構(gòu)、性能的探索研究，為制備ZnO:Al薄膜紫外探測(cè)器提供實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
　　采用Sol-Gel法在普通玻璃、石英及Si（10

2、0）襯底上制備了ZnO薄膜，分析了襯底、薄膜厚度、預(yù)處理溫度及退火溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析表明：Si（100）襯底上制備的ZnO薄膜結(jié)晶質(zhì)量較好，預(yù)處理及退火溫度升高有利于ZnO薄膜的結(jié)晶。
　　采用Sol-Gel法制備了ZnO:Al薄膜，并對(duì)其結(jié)構(gòu)、性能進(jìn)行了詳細(xì)的研究。X射線衍射分析表明，當(dāng)摻鋁濃度在0％~30%范圍內(nèi)時(shí)，其（002）衍射峰強(qiáng)度隨摻鋁濃度增加而降低。X射線光電子能譜分析表明：ZnO:Al薄膜中O1s電