鋰摻雜氧化鋅薄膜的制備與性能研究.pdf_第1頁(yè)
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1、氧化鋅是典型的第三代半導(dǎo)體材料,它具有3.37eV的禁帶寬度,60meV的激子束縛能,屬于II-VI族半導(dǎo)體。氧化鋅具有獨(dú)特的壓電、電學(xué)以及光學(xué)記憶特性,因此氧化鋅在傳感器、激光系統(tǒng)、導(dǎo)電記憶元件等中具有廣闊的應(yīng)用前景。目前摻雜是一種提高氧化鋅薄膜光電性能的有效方法。因此本文采用磁控濺射法制備鋰摻雜氧化鋅薄膜,并研究其光學(xué)性能與電學(xué)性能。
　　所制備出的鋰摻雜氧化鋅薄膜均為六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),有良好的c軸取向。鋰摻雜氧化鋅薄膜在可見光

2、波段具有良好的透光率,紫外吸收邊陡峭。光致發(fā)光譜結(jié)果顯示,鋰摻雜氧化鋅在390nm、408nm、434nm、465nm處有受激發(fā)射。鋰摻雜氧化鋅薄膜為n型半導(dǎo)體,這是由于鋰進(jìn)入晶格中,形成Lizn-Lii復(fù)合施主所致。
　　研究表明提高退火溫度和生長(zhǎng)溫度,都將有利于提高薄膜的結(jié)晶性。同時(shí)由于高溫下Lizn-Lii復(fù)合施主轉(zhuǎn)換為L(zhǎng)izn受主,因此鋰摻雜氧化鋅薄膜的載流子濃度均隨退火溫度和生長(zhǎng)溫度的上升而減小。高溫會(huì)對(duì)原子之間的軌道雜

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