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文檔簡介
1、ZnO是一種具有光電、氣敏、壓電等特性優(yōu)良的多功能材料,它在室溫下具有較高的禁帶寬度和激子束縛能,在可見光范圍內(nèi)具有很好的透光性,在透明電極、發(fā)光器件、太陽能電池、氣敏傳感器等方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。多年來一直受到物理、化學(xué)、材料、電子等領(lǐng)域的格外關(guān)注。
本文采用溶膠凝膠法在Si、ITO和普通玻璃襯底上,制備了未摻雜ZnO薄膜,Cu、Li、Ag單摻雜ZnO薄膜及Cu與Li和Ag與Li共摻雜ZnO薄膜。通過X射線衍射儀、掃描電子
2、顯微鏡、透射電子顯微鏡、紫外可見光分光光度計(jì)、電化學(xué)工作站等分析儀器,研究了溶膠濃度、摻雜量、退火溫度等對(duì)ZnO和摻雜ZnO薄膜結(jié)晶質(zhì)量、表面形貌、光透過性、導(dǎo)電性等方面的影響。論文主要內(nèi)容如下:
首先,我們研究了未摻雜鋅溶膠濃度對(duì)ZnO薄膜結(jié)構(gòu)、形貌和光電特性的影響,結(jié)果表明當(dāng)溶膠濃度為0.8mol/L時(shí),未摻雜ZnO薄膜獲得了較好的光電性能。在此基礎(chǔ)上,我們分別制備了不同摻雜濃度的Cu、Li、Ag單摻雜ZnO薄膜,并研究了
3、摻雜量、退火溫度等參數(shù)對(duì)ZnO薄膜光電性能的影響,結(jié)果表明經(jīng)550℃大氣退火2h,Cu、Li、Ag的摻雜量分別為0.001at%,3at%,7at%時(shí),單摻雜ZnO薄膜獲得了較好的光電性能,與未摻雜ZnO薄膜相比,其導(dǎo)電性分別提高了約40倍、200倍和250倍,在可見光范圍內(nèi)其透光率分別達(dá)80%,95%,90%以上。
其次,在綜合性能較好的單摻雜ZnO薄膜基礎(chǔ)上,我們分別制備Cu與Li共摻雜和Ag與Li共摻雜ZnO薄膜,研究了
4、Cu與Li和Ag與Li不同摩爾比摻雜量對(duì)共摻雜ZnO薄膜綜合特性的影響。結(jié)果表明經(jīng)550℃大氣退火2h,Cu與Li、Ag與Li、Li與Ag摩爾比均為1∶20時(shí),共摻雜ZnO薄膜獲得較好的光電性能,與未摻雜ZnO薄膜相比,其導(dǎo)電性分別提高了6倍、150倍、300倍,在可見光范圍內(nèi)其透光率分別達(dá)85%,95%,90%以上。此外,本文還研究了不同摻雜源、不同基片及薄膜厚度等因素對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)、形貌及光電特性的影響,并對(duì)相應(yīng)單摻雜、共摻雜ZnO納米
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