RTCVD沉積的多晶硅薄膜的電學(xué)性質(zhì).pdf

1、本文對快速熱化學(xué)氣相沉積法(RTCVD)制備在石英襯底、單晶硅片和多晶硅帶上的多晶硅薄膜的電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究。在實(shí)驗(yàn)方面，我們用激活能測量、室溫及變溫Hall效應(yīng)測量和電子束誘導(dǎo)電流(EBIC)測量等技術(shù)研究了多晶硅薄膜的電學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明，所制備的多晶硅薄膜的電學(xué)性質(zhì)可以由Seto的單能級晶界陷阱理論給出很好的半定量解釋。 為了對實(shí)驗(yàn)結(jié)果給出定量的解釋，本文首先對Seto提出的單能級晶界陷阱模型進(jìn)行了詳細(xì)的理論推導(dǎo)?？紤]到當(dāng)晶

2、粒尺寸較大時確實(shí)存在晶粒部分耗盡但晶界陷阱態(tài)未被填滿的情況，為此，本文對Seto提出的單能級晶界陷阱模型進(jìn)行了修正，使之可以解釋較大晶粒尺寸多晶硅薄膜的電學(xué)性質(zhì)。同時，根據(jù)修正后的單能級晶界陷阱模型研究了不同晶粒尺寸、不同陷阱能級和不同陷阱態(tài)密度對多晶硅薄膜電學(xué)性質(zhì)的影響。此外，本文還給出了陷阱態(tài)密度隨能量呈一定分布條件下各物理量的計(jì)算公式。 根據(jù)實(shí)測的電導(dǎo)率隨摻雜濃度變化的曲線，由改進(jìn)的單能級晶界陷阱模型確定的晶界陷阱能級位于