一維納米結構材料的電化學制備、表征及其性能研究.pdf

1、該論文以一維納米線、納米孔陣的電化學制備、表征及其性能為研究目的,通過電化學研究手段和現(xiàn)代物理測試技術對電化學組裝金屬納米線陣列的影響因素、沉積機理及有關性能進行了研究,并首次以鋁陽極氧化膜(AAO)為模板,在其納米孔內(nèi)組裝了Cu/Co多層納米線.采用鋁陽極氧化電沉積法,在AAO模板的納米孔內(nèi)沉積銀、銅納米線(陣列),并對交流電沉積中實驗參數(shù)主鹽濃度、沉積電壓、時間、pH值、溫度、陽極氧化電壓對納米線生長速度的影響進行了考察;通過透射電

2、子顯微鏡對AAO孔內(nèi)電沉積金屬銀、銅的形貌進行了表征.銀納米線陣列基底的表面增強拉曼散射譜圖中出現(xiàn)了1001cm<'-1>和1034<'-1>的兩個可分別歸屬為吡啶的全對稱環(huán)呼吸振動和三角形環(huán)呼吸振動譜峰;而純銀鍍層的拉曼譜圖中卻沒有吡啶特征峰的出現(xiàn),說明銀納米線陣列可以作為表面增強拉曼散射的活性基底,具有一定的拉曼表面增強效果.以(AAO)為模板,采用交流電沉積法成功制備了Fe納米線.通過X射線衍射、選區(qū)電子衍射等現(xiàn)代物理測試手段,證