CdSe納米材料的電化學制備及表征.pdf

1、納米半導體與有機和一般無機電致發(fā)光材料相比，電子親和能大，發(fā)光譜窄。通過控制合成的條件，改變納米半導體晶粒的尺寸可以使之具有不同電子親和能及電離勢，其吸收和發(fā)光特性隨納米晶粒尺寸減小而發(fā)生藍移。因此，通過調(diào)節(jié)納米半導體的尺寸，就可使其最大帶邊發(fā)光在整個可見光區(qū)域內(nèi)調(diào)節(jié)。本文通過電化學方法制備了CdSe半導體納米材料，為以后在AAO模板中組裝聚合物/半導體納米晶體復合體系奠定了基礎(chǔ)。 ⑴.采用電化學方法對SeO2在堿性電解液中的還

2、原過程進行了分析，并且利用控電位沉積的方法成功制備出CdSe納米晶薄膜，此后又使用恒電流脈沖沉積方法制備了CdSe納米晶薄膜，并通過掃描電鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)、紫外-可見光譜儀(UV-VIS)、熒光光譜儀等儀器對其進行比較與表征。研究結(jié)果表明，采用控電位的方法可制備出立方晶相的CdSe納米晶半導體薄膜。光譜分析表明，與塊體CdSe材料相比，CdSe納米晶薄膜的光譜峰發(fā)生藍移，隨著反應時間增加，CdS

3、e納米晶薄膜受量子效應的影響其光譜峰的位置均發(fā)生紅移。 ⑵.采用恒電流脈沖技術(shù)制備的CdSe納米薄膜，在SEM下發(fā)現(xiàn)，其納米粒子呈現(xiàn)出直徑在30～50nm之間，長度約100～300nm的棒狀結(jié)構(gòu)，吸收光譜表明，CdSe薄膜的吸收邊集中在350nm到550nm范圍內(nèi)，比塊體CdSe的吸收邊有較大的藍移。PL光譜測試表明，CdSe納米晶薄膜具有光致發(fā)光特性，PL發(fā)射峰的位置在460nm～470nm。 ⑶.采用二次陽極氧化法，