CdSe-聚苯胺納米復(fù)合材料的電化學(xué)制備及表征.pdf

1、有機(jī)/無機(jī)復(fù)合電致發(fā)光器件集納米、有機(jī)等各方面的性能于一體，因此被認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)高效電致發(fā)光的新途徑。論文通過電化學(xué)方法制備了聚苯胺薄膜，進(jìn)而制備出聚苯胺/CdSe復(fù)合薄膜，為以后封裝聚合物/納米半導(dǎo)體復(fù)合電致發(fā)光器件奠定了基礎(chǔ)。 論文用控電位沉積法和脈沖電位階躍法分別制備出聚苯胺薄膜。采用掃描電鏡（SEM）、紅外光譜儀（IR）、X射線衍射（XRD）、熒光光譜儀等儀器對(duì)所制備的薄膜進(jìn)行比較與表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，采用恒電位法可制備

2、出聚苯胺晶體薄膜，其表面形貌因沉積時(shí)間不同而有所差異，另外，保護(hù)劑PVP的存在可以有效的減小顆粒直徑。熒光光譜分析表明，聚苯胺薄膜具有光致發(fā)光性能，且發(fā)光強(qiáng)度隨沉積時(shí)間的增加而增強(qiáng)。采用脈沖電位階躍制備的聚苯胺薄膜中，聚苯胺粒徑約90-150 nm，脈沖周期和脈沖時(shí)間對(duì)薄膜表面形貌影響不大。熒光光譜顯示，脈沖沉積的聚苯胺薄膜發(fā)射峰位置在520nm左右，且發(fā)光強(qiáng)度隨占空比的增加而增大。較之恒電位沉積，脈沖沉積的聚苯胺薄膜顆粒直徑要小約5-