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文檔簡介
1、銅鋅錫硫Cu2ZnSnS4(CZTS)因其帶隙(約1.45eV)與太陽輻射匹配性好、光吸收系數(shù)高(>104cm-1)、元素儲量大等優(yōu)點,受到人們越來越多的關(guān)注。通過近十幾年的發(fā)展,CZTS薄膜太陽電池在器件效率上有了很大的提升,從1997年的2.3%發(fā)展到了今天的8.4%,是最具有發(fā)展?jié)摿Φ谋∧ぬ栯姵刂?。在其他方面的研究,?物理特性、元素比例、襯底溫度、帶隙調(diào)節(jié)等方面,也都取得了不少的進展。但是也暴露出了幾個問題,一個是如何制備出
2、成分均勻的CZTS吸收層并實現(xiàn)其化學計量比的精確控制;另一個是反應(yīng)機理和相關(guān)理論的研究滯后,制約著工藝水平的進一步提升。而后者也是解決前一個問題的關(guān)鍵,只有清楚地了解了CZTS制備過程中的反應(yīng)機理,才可能在理論的基礎(chǔ)上去改變工藝條件制備出成分均勻的CZTS吸收層。
本論文采用一步共蒸發(fā)的方法,主要圍繞CZTS的反應(yīng)機理和反應(yīng)路徑方面展開了一些研究,希望能夠推進其相關(guān)理論的發(fā)展。在CZTS薄膜的制備過程中存在多種反應(yīng)路徑,要想去
3、探索和研究CZTS體系的反應(yīng)機理和路徑,就必須先從二元相入手一步一步地去剖析CZTS的形成過程,然后在二元體系研究的基礎(chǔ)上,繼續(xù)開展了三元體系和四元體系的反應(yīng)機理的探索。
二元體系主要包括Cu-S體系、Sn-S體系和Zn-S體系:(1) Cu-S體系中,在Cu-S薄膜的形成過程中,會優(yōu)先生成Cu2S,但在充足的S蒸汽壓下,Cu2S并不穩(wěn)定,它會繼續(xù)與S反應(yīng),最終生成CuS相。(2) Sn-S體系中,在Sn-S薄膜生長過程中形成
4、的是SnS相,而沒有出現(xiàn)Sn2S3和SnS2相。(3) Zn-S體系中,Zn與S反應(yīng)生成的是ZnS。
三元體系主要是Cu-Sn-S體系,在Cu-Sn-S薄膜的制備過程中,形成的是Cu2SnS3相和Cu3SnS4相,而這兩相的形成,同襯底溫度和S壓有很大的關(guān)系。在Tsub=400℃時,當S壓較高時,薄膜中主要是Cu2SnS3相,當S壓較底時,薄膜中主要是Cu3SnS4相。在S壓充足的情況下,當Tsub≤400℃時,薄膜中主要是C
5、u2SnS3相,當Tsub≥450℃時,薄膜中主要是Cu3SnS4相。
通過Cu-Zn-Sn-S四元體系的研究最終確定了CZTS薄膜的反應(yīng)機理,在CZTS薄膜生長的初期(Tsub=400℃),首先生成應(yīng)該是ZnS,其次是生成SnS和CuS。但是SnS飽和蒸汽壓較大,不容易穩(wěn)定地在薄膜表面存在,它會直接與CuS和ZnS反應(yīng)地生成CZTS,或者迅速地與CuS反應(yīng)生成Cu2SnS3,然后再與ZnS反應(yīng),最終生成CZTS。
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