CdTe多晶薄膜太陽電池的制備及性能分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、采用化學水浴法在透明導電玻璃上沉積厚度不同的CdS薄膜,分別以制備好的CdS薄膜為襯底利用真空蒸發(fā)法制備純CdTe薄膜及Sb摻雜CdTe薄膜,在進行T=400℃,t=30min的熱處理過程中引入不同量的CdCl2對薄膜進行氯化處理,薄膜利用NP溶液進行腐蝕。采用雙源共蒸法制備純ZnTe和Y摻雜的ZnTe薄膜,同時制備純CdTe及Sb摻雜CdTe薄膜太陽電池。
  利用X射線衍射、原子力顯微鏡、X射線光電子能譜儀、掃描電子顯微鏡等測

2、試手段分別對CdS、純CdTe及摻Sb的CdTe薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、化學成分等性能進行了測試,利用太陽能電池光譜性能測試系統(tǒng)測試電池的轉(zhuǎn)換效率。
  實驗結(jié)果表明,不同厚度CdS薄膜的表面平整性、致密性、表面化學元素比及透光性有一定的差別,綜合考慮薄膜的致密和透過率最終確定了CdS薄膜沉積時間為30min。XRD測試表明純碲化鎘薄膜為沿(111)晶面擇優(yōu)生長的立方閃鋅礦結(jié)構(gòu),薄膜中摻入銻元素未改變薄膜的物相結(jié)構(gòu)但使薄膜的結(jié)晶

3、性更好,晶粒尺寸明顯增大,利用NP溶液腐蝕之后,兩種薄膜表面均出現(xiàn)了Te的(101)衍射峰,薄膜表面呈現(xiàn)富碲現(xiàn)象,同時,薄膜表面比未腐蝕時平整、致密,但腐蝕之后的摻銻碲化鎘薄膜粗糙度增加。氯化對多晶CdTe及摻Sb的CdTe薄膜的腐蝕有一定的影響,并且不同的氯化條件對純碲化鎘薄膜的影響比較嚴重,隨著氯化鎘量的不同,薄膜腐蝕后表面富碲現(xiàn)象也有所差別,1.0gCdCl2氯化處理的薄膜富碲最為顯著,不同的氯化條件對摻Sb的CdTe薄膜影響不大

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