Sb2Se3薄膜太陽電池的制備及其性能優(yōu)化.pdf

1、本工作采用真空熱蒸發(fā)技術(shù)，在石英和FTO玻璃表面沉積了Sb2Se3薄膜。利用X射線衍射（XRD）儀、高分辨率拉曼光譜儀、掃描電子顯微鏡（SEM）、半導(dǎo)體參數(shù)測試儀和紫外-近紅外光譜儀等多種技術(shù)手段，對不同沉積溫度和不同薄膜厚度的Sb2Se3薄膜進(jìn)行了結(jié)構(gòu)、形貌、組分和光電特性的表征和分析。實驗結(jié)果表明，沉積溫度為300℃、厚度為700 nm的Sb2Se3薄膜具有最優(yōu)的結(jié)晶取向和較好的結(jié)晶度，且薄膜的光學(xué)帶隙較小、對可見光的透過率極低、導(dǎo)

2、電性較好。
　　利用所沉積的Sb2Se3薄膜為吸收層，以水浴沉積法制備的CdS薄膜為緩沖層，制備了CdS/Sb2Se3薄膜太陽電池。太陽光模擬器測量結(jié)果表明，由沉積溫度為300℃、厚度為700 nm的Sb2Se3薄膜制備的CdS/Sb2Se3薄膜太陽電池具有最優(yōu)的光電轉(zhuǎn)換效率，約為1.57％。
　　為了進(jìn)一步提高電池性能，防止CdS層中的微孔對pn結(jié)造成破壞，引入了透明高阻層——SnO2層。實驗結(jié)果證實，Sn薄膜在500℃條