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文檔簡介
1、隨著全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展,能源短缺現(xiàn)狀越來越受到人們關(guān)注。太陽能、核能及風(fēng)能等新能源得到迅速發(fā)展,以電力電子技術(shù)為基礎(chǔ)的逆變器,作為太陽能和風(fēng)能發(fā)電的核心設(shè)備,得到廣泛應(yīng)用,因此對逆變器的效率、諧波等性能指標(biāo)有著越來越高的要求。碳化硅功率 MOSFET因其耐高溫、高頻和高耐壓等特性可有效解決功率器件損耗大等問題且可滿足逆變器的高頻化需求。
采用全橋逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),對雙極性 SPWM控制方式進(jìn)行了詳細(xì)分析,在此基礎(chǔ)上,計(jì)算了軟件參數(shù)且編寫
2、了 DSP軟件程序;使用狀態(tài)空間平均法對逆變器進(jìn)行了建模;應(yīng)用 MATLAB軟件分析了逆變器的數(shù)學(xué)模型,繪制出逆變器波特圖,并在此基礎(chǔ)上進(jìn)行了串聯(lián)校正,使逆變器系統(tǒng)相角裕度達(dá)到70°、超調(diào)量小于20%,滿足了控制系統(tǒng)要求;對比分析了硅與碳化硅 MOSFET的開關(guān)特性及導(dǎo)通電阻隨溫度變化的趨勢,表明碳化硅開關(guān)速度快且導(dǎo)通電阻穩(wěn)定;設(shè)計(jì)了 LC低通濾波器,濾除 SPWM高頻諧波,輸出了標(biāo)準(zhǔn)工頻電壓。在以上研究的基礎(chǔ)上,研制了基于碳化硅 MO
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