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文檔簡介
1、NO2是一種危害性極大的污染氣體，對(duì)NO2進(jìn)行檢測(cè)監(jiān)控顯得尤為迫切。半導(dǎo)體氣體傳感器因其成本低廉、靈敏度高、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，使其成為使用最廣泛使用的氣體傳感器。但也存在不可忽視的缺點(diǎn)，例如:工作溫度高，氣敏性能不穩(wěn)定等。采用單晶異質(zhì)結(jié)納米材料，來提高和優(yōu)化氣體傳感器性能是當(dāng)下的研究方向之一。
InAs是一種重要的Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料，具有高載流子遷移率、豐富的表面態(tài)以及窄帶隙等優(yōu)異特性。垂直生長的InAs納米線陣列在室溫下可以
2、探測(cè)到100 ppb的NO2氣體。另外，在InAs納米線表面生長覆蓋InP包層能大幅改善納米線性能。InAs/InP徑向異質(zhì)結(jié)納米線被廣泛使用于光電探測(cè)、場效應(yīng)晶體管等領(lǐng)域。然而，對(duì)于InAs/InP徑向異質(zhì)結(jié)納米線的氣敏特性研究，目前還沒有相關(guān)報(bào)道。本文利用MOCVD系統(tǒng)生長出五種包層厚度的InAs/InP徑向異質(zhì)結(jié)納米線，其InP包層厚度分別為0nm、1.1nm、3.3 nm、6.5 nm及18nm。采用介電泳排列技術(shù)結(jié)合微槽方法成
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