一維Vox納米材料陣列的制備及其氣敏性能研究.pdf

1、在科技和工業(yè)化越來越發(fā)達的21世紀，環(huán)境污染、安全生產(chǎn)等問題越來越受到大家的關(guān)注。氣體傳感器在環(huán)境監(jiān)測、軍工和高科技領(lǐng)域有著其自身不可替代的作用。為了提高氣體傳感器的性能，近年來人們開始把目光轉(zhuǎn)向了材料領(lǐng)域研究的熱點對象--納米材料。納米材料具有獨特的小尺寸效應、表面效應等，在突破傳統(tǒng)體材料氣體傳感器性能上具有非常大的潛力。釩氧化物晶體具有層狀結(jié)構(gòu)和很強的各向異性，它的這些特殊的物化性能使其在熱致變色、電致變色、光學和電學中有著廣泛的應

2、用。近些年，五氧化二釩作為氣敏元件材料的應用受到了各國材料科學家們越來越多的關(guān)注。
　　 本文研究了一維釩氧化物納米材料陣列的制備方法，討論了基于一維釩氧化物納米材料陣列的氣敏元件制備和測試的方法并對其氣敏性能進行了初步探索。得到了以下結(jié)論：
　　 (1)以孔徑200 nm，厚度10μm的放射物侵蝕的親水性聚碳酸酯薄膜作為模板，通過電泳沉積的作用將五氧化二釩溶膠沉積進入PC模板孔道。然后采用熱處理的方法將PC模板燒失。<

3、br>　　 (2)采用XRD、SEM、TEM和紫外可見吸收光譜分析等手段對材料的形貌和物相等進行了表征，發(fā)現(xiàn)釩溶膠在電泳沉積的作用下是隨機堆疊進入PC模板的孔道，沒有結(jié)晶。在380℃熱處理過程中，V2O5沿著(600)方向擇優(yōu)生長，其他如(300)方向的V2O5和(500)方向的V2O5·3H2O則停止生長，只留有少部分分布于納米棒周圍。通過紫外可見吸收光譜的計算出材料的禁帶寬度在2.8 eV左右，大于體材料V2O5的禁帶寬度(2.2