VOx-TiO2納米管復(fù)合陣列的制備及其超電容性能.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、作為新型儲能器件的超級電容器,因其具有大的能量密度、長的循環(huán)使用壽命、環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn),成為近年來科研領(lǐng)域的一個研究熱點(diǎn)。本文以TiO2納米管陣列為基底,對其進(jìn)行碳改性處理,提高TiO2納米管陣列的導(dǎo)電性能;再將釩氧化物負(fù)載到C-TiO2納米管陣列中制備超級電容器電極材料。本文主要研究成果如下:
  (1)利用陽極氧化過程中乙二醇為碳源,在Ar氣氣氛中退火處理,實(shí)現(xiàn)了對TiO2納米管陣列的改性,有效提高了Ti02納米管陣列的導(dǎo)電性能

2、;系統(tǒng)研究了退火溫度對TiO2納米管陣列的超電容性能的影響。
  (2)米用水浴沉積的方法制備了VO2/C-TiO2納米管復(fù)合陣列,研究了水浴沉積時間與復(fù)合陣列的超電容性能的關(guān)系。水浴沉積3h制備的VO2/C-TiO2納米管復(fù)合陣列的性能最好,在1 Ag-1的恒電流充放電下得到316 F g-1的比電容且經(jīng)過1000圈循環(huán)測試后比電容保持82%。
  (3)采用循環(huán)伏安電沉積方法,成功制備出V2O5/C-TiO2納米管復(fù)合陣

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