tio2納米管陣列薄膜的制備、表征及光電性能研究

1、天津大學(xué)博士學(xué)位論文TiO2納米管陣列薄膜的制備、表征及光電性能研究姓名：黃娟茹申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：化學(xué)工程與技術(shù)；化學(xué)工程指導(dǎo)教師：譚欣2011-12( 3 ) F S ．T N T 陣列薄膜的制備機理研究采用陽極氧化和熱處理聯(lián)合制備F S ．T N T 陣列薄膜，在F E ．S E M 、F E ．T E M和X R D 分析基礎(chǔ)上，分為F S ．T N T 納米管底開口、納米管底閉口和納米管底閉口且覆蓋薄層的T i 0 2 致

2、密層三種情況討論F S ．T N T 陣列薄膜的制備機理，結(jié)合陽極氧化制備T i 0 2 納米管的生長機理，提出F S ．T N T 陣列薄膜的制備機理，接著通過對F S ．T N T 陣列薄膜和下層帶基地的T i 0 2 納米管進行X P S 分析，驗證所提出的制備機理。( 4 ) F S ．P 2 5 復(fù)合薄膜基的D S S C s 和光催化性能研究在制備F S ．T N T 陣列薄膜基礎(chǔ)上，將F S ．T N T 陣列薄膜與P 2

3、 5 p a s t e 薄膜結(jié)合制備F S ．P 2 5 復(fù)合薄膜，并以此薄膜為光陽極組裝D S S C s 進行光電性能研究，發(fā)現(xiàn)F S 2 ．P 2 5 復(fù)合薄膜基電池的光電轉(zhuǎn)化效率最大，其最高值達7 ．6 2 ％，同時將此薄膜應(yīng)用于光催化降解M B ，發(fā)現(xiàn)F S 2 ．P 2 5 復(fù)合薄膜降解M B 的效率最高，對其動力學(xué)分析發(fā)現(xiàn)，反應(yīng)符合一級動力學(xué)反應(yīng)，且當(dāng)光催化劑為F S 2 ．P 2 5 時，反應(yīng)的一級動力學(xué)常數(shù)k = 0