2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
已閱讀1頁，還剩63頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、努豢弩謄078密緩t公開摹盛褥降耄1泓22學(xué)鼉l2010220909碩士學(xué)位論文ThesisforMasterDegree(專避攀毽)論文藤鞫；工藝參數(shù)對(duì)硅單晶直拉過程影響的數(shù)值模擬研究NumericalSimulationontheProcessParametersEffectontheCzochralskiProcessofSingleCrystalSilicon囂者簸名培蓁摹整材料科學(xué)與工程學(xué)院專照名籜材料工程觜簿教麟龠棒譬薄20

2、14年1o月20弱山東大學(xué)碩士學(xué)位論文目錄摘要iABSTRACTiii第一章緒論111課題背景、目的及意義112硅及硅單晶生長(zhǎng)過程2121硅的物理、化學(xué)及其半導(dǎo)體性質(zhì)2122硅單晶生長(zhǎng)及其關(guān)鍵技術(shù)3123硅單晶制備設(shè)備413硅單晶中的微缺陷514硅單晶生長(zhǎng)數(shù)值模擬現(xiàn)狀615本文研究?jī)?nèi)容7第二章有限元模型及CGSim軟件921數(shù)值模擬方法及其物理模型9211計(jì)算機(jī)仿真9212數(shù)值模擬方法的選擇9213物理模型及其簡(jiǎn)化1022方程離散化及有

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論