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1、氧是直拉硅單晶中最重要的雜質(zhì)之一，利用氧沉淀及其誘生缺陷作為器件制造過程中有害金屬雜質(zhì)沾污吸除的氧內(nèi)吸雜工藝在輕摻硅單晶中得以廣泛而深入地研究。近年來，不斷發(fā)展的CMOS工藝普遍采用重?fù)焦杵r底／外延層結(jié)構(gòu)并與氧內(nèi)吸雜工藝結(jié)合以制備無閂鎖的超大規(guī)模集成電路，因而，重?fù)焦杵醒鮾?nèi)吸雜行為備受研究者關(guān)注。已有研究表明：重?fù)戒R硅單晶氧沉淀受抑制而重?fù)脚鸸鑶尉а醭恋肀淮龠M，即重?fù)焦鑶尉П憩F(xiàn)出與輕摻硅單晶不同的氧沉淀行為。但由于重?fù)焦柚醒鯘舛榷?/p>
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