摻氮直拉單晶硅中氧沉淀及其誘生缺陷的行為研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來的研究表明，在直拉單晶硅(Czochralskisilicon，CZ-Si)中摻氮可以用于調(diào)控原生氧沉淀和空洞型缺陷，同時(shí)，摻氮直拉單晶硅(NCZ-Si)中的缺陷也得到了深入的研究。本論文結(jié)合FTIR、TEM、SRP、EBIC和光學(xué)顯微鏡等測試分析手段，對摻氮直拉單晶硅中的氧沉淀及其誘生缺陷進(jìn)行了研究，并取得了以下主要結(jié)論：1．摻氮對直拉單晶硅中氧沉淀的影響對800℃和1000℃處理后NCZ-Si樣品中的氧沉淀行為進(jìn)行了研究。研究

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