快中子輻照直拉硅中氧沉淀及誘生缺陷研究.pdf

1、本文中利用傅立葉紅外光譜儀(FTIR)、光學(xué)顯微鏡和透射電子顯微鏡(TEM)觀察的方法，研究了輻照劑量、退火條件等因素對快中子輻照直拉硅(CZSi)中氧沉淀及誘生缺陷形成的影響。 由于高溫退火過程中氧沉淀的生成，輻照樣品的常溫紅外光譜中間隙氧吸收峰向低頻端寬化。低溫下，寬化的位置分裂出對應(yīng)于球狀氧沉淀和八面體氧沉淀的吸收峰，另外還出現(xiàn)了對應(yīng)于盤狀氧沉淀的吸收峰。 快中子輻照直拉硅經(jīng)高溫退火后體內(nèi)產(chǎn)生了大量氧沉淀誘生的體層

2、錯和位錯以及輻照引入缺陷誘生的位錯環(huán)。隨著退火時間的延長，氧沉淀誘生層錯逐漸長大，同時伴隨有新的層錯產(chǎn)生。位錯環(huán)的腐蝕形貌由多條位錯線組成，隨著退火時間的延長，其形貌變?yōu)橛梢粭l位錯線組成的半環(huán)形。延長退火時間，缺陷密度增加。利用TEM觀察到多面體氧沉淀，其體內(nèi)氧原子與硅原子之比為1.5。 首次將快速熱處理(RTP)引入到快中子輻照直拉硅的內(nèi)吸雜工藝中。研究了不同的RTP條件對快中子輻照硅中體缺陷和清潔區(qū)的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，RTP未