高溫退火對直拉硅拋光片表面質量及氧沉淀的影響.pdf

1、直拉硅拋光片的表面質量和氧沉淀對集成電路成品率的影響很大。無論在硅片生產還是在集成電路制造中，硅片都要經過高溫退火。因此，高溫退火對硅片表面質量和氧沉淀影響的研究顯得十分重要。
　　本文研究了200mm直拉硅拋光片經高溫退火后的表面狀態(tài)以及氧沉淀，取得了如下主要結果:
　　1.研究了實際生產中200mm單面拋光硅片在消除表面空洞型缺陷的1200℃退火工藝后，表面出現彩霧和白霧的問題。通過清洗爐管消除金屬沾污而解決了彩霧問題;

2、通過更換拋光方式消除了肉眼可見的白霧，但由激光顆粒計數儀檢測到的表面haze（霧）較顯著且分布不均勻，且這樣的表面haze與表面微微粗糙度沒有明確的對應關系。表面haze看起來是高溫熱處理的“頑疾”，可通過表面精拋加以消除。
　　2.研究了高溫預退火對直拉硅片在后續(xù)退火工藝中氧沉淀的影響。發(fā)現高溫預退火能顯著促進直拉硅片在后續(xù)低-高兩步退火工藝或高溫RTP-低-高三步退火工藝中的氧沉淀，且高溫預退火時間越長，對氧沉淀的促進越顯著。