版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、硅材料是微電子產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料.隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI)特征線寬的不斷減小,對(duì)直拉硅中雜質(zhì)和缺陷控制的要求越來越嚴(yán)格.氧是直拉硅單晶中最重要的非故意摻入雜質(zhì),與氧相關(guān)的氧沉淀及內(nèi)吸雜技術(shù)的研究一直是硅材料研究的重要課題.本論文研究了高溫氫氣退火對(duì)直拉硅中氧沉淀、潔凈區(qū)形成、熱施主等氧的行為的影響,得到了以下結(jié)果: 研究了直拉(CZ)硅片、摻鍺直拉(GCZ)硅片、摻氮直拉(NCZ)硅片經(jīng)氫氣和氬氣氛下低-高緩慢升溫(L-H
2、Ramping)處理即:從800℃以1℃/min的升溫速率升溫到1050℃或1150℃并保溫4小時(shí)后氧沉淀和潔凈區(qū)形成的情況. 結(jié)果表明:經(jīng)過氫氣氛下L-H Ramping處理,在上述硅片體內(nèi)生成了更高密度的體微缺陷(BMD),這是由于氫的引入導(dǎo)致了更高密度的氧沉淀核心.當(dāng)高溫溫度為1050℃時(shí),硅片沒有形成潔凈區(qū)(DZ),而高溫溫度為1150℃時(shí),則形成了DZ.這表明只有在1150℃及以上溫度時(shí),硅片近表面區(qū)域的氧沉淀才能被消
3、融.當(dāng)高溫溫度為1150℃時(shí),硅片經(jīng)氫氣氛下L-H Ramping處理形成的DZ更寬,這是由于高溫下氫促進(jìn)了氧的外擴(kuò)散,從而促進(jìn)了氧沉淀的消融. 研究了CZ、GCZ和NCZ硅片經(jīng)氫氣或氬氣氛下1200℃/2h高溫預(yù)處理,再進(jìn)行800℃/4h+1050℃/16h熱處理后氧沉淀和潔凈區(qū)形成的情況.結(jié)果表明:上述硅片經(jīng)氫氣氛下1200℃/2h高溫預(yù)處理,體內(nèi)產(chǎn)生了更高密度的BMD,這是由于高溫預(yù)處理引入的氫促進(jìn)了低溫?zé)崽幚頃r(shí)氧沉淀的形
4、核.CZ硅片經(jīng)氫氣氛下高溫預(yù)處理形成的DZ更窄,而GCZ和NCZ硅片經(jīng)氫氣氛下高溫預(yù)處理形成的DZ更寬,對(duì)這一現(xiàn)象做了定性的解釋. 研究了氫氣和氬氣氛下1200℃/1h退火對(duì)CZ和GCZ硅片經(jīng)過低溫(300~750℃)Ramping處理形成的氧沉淀的消融的影響.CZ和GCZ硅片經(jīng)過低溫(300~750℃)Ramping處理,體內(nèi)形成了高密度的氧沉淀,經(jīng)氫氣或氬氣氛下1200℃/1h退火,體內(nèi)氧沉淀的消融沒有顯著區(qū)別,但經(jīng)氫氣氛下
5、1200℃/1h退火在硅片近表面形成了更寬的潔凈區(qū),這是由于高溫下氫促進(jìn)了氧的外擴(kuò)散.上述結(jié)果表明:低溫(300~750℃)Ramping處理結(jié)合隨后的高溫處理可以作為直拉硅片的一種新型的內(nèi)吸雜工藝.顯然,該工藝與傳統(tǒng)高一低一高三步退火工藝相比具有低熱預(yù)算的優(yōu)點(diǎn). 研究了經(jīng)氫氣和氬氣氛1150℃/2h預(yù)處理的CZ和GCZ硅片在450℃時(shí)氧熱施主的生成情況.結(jié)果表明,經(jīng)氫氣氛下預(yù)處理的CZ硅片生成了更多的熱施主,而GCZ硅片在兩種
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 高溫退火對(duì)直拉硅拋光片表面質(zhì)量及氧沉淀的影響.pdf
- 氫退火對(duì)直拉硅中氧沉淀及空洞型缺陷的作用.pdf
- 直拉硅中氧相關(guān)缺陷的研究.pdf
- 高溫快速熱處理對(duì)直拉硅單晶中雜質(zhì)行為的影響.pdf
- 快速熱處理對(duì)直拉單晶硅中氧沉淀和內(nèi)吸雜的影響.pdf
- 快速熱處理(RTP)對(duì)大直徑直拉單晶硅中氧沉淀的影響.pdf
- 還原性氣氛下Fe對(duì)高溫煤灰化學(xué)行為的影響研究.pdf
- 電子輻照直拉硅中氧相關(guān)缺陷的研究.pdf
- 摻氮直拉單晶硅中氧沉淀及其誘生缺陷的行為研究.pdf
- 碳雜質(zhì)對(duì)含氮直拉單晶硅中氧相關(guān)缺陷的影響.pdf
- 氫氣對(duì)煤高溫快速液化的影響.pdf
- 硅和氧對(duì)銅鉻合金凝固行為的影響.pdf
- 直拉單晶硅中氧沉淀和銅復(fù)合體的研究.pdf
- 直拉單晶硅中雜質(zhì)和缺陷的行為-重?fù)诫s和共摻雜的影響.pdf
- P型硅襯底異質(zhì)結(jié)電池制備和氫氣退火本征非晶硅層對(duì)HIT電池性能的影響.pdf
- 直拉單晶硅中氧沉淀和潔凈區(qū)穩(wěn)定性的研究.pdf
- 重?fù)戒R直拉硅單晶的氧沉淀行為.pdf
- 富氫氣氛下煤快速液化的實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 快速熱處理對(duì)摻鍺直拉單晶硅的影響.pdf
- 直拉硅單晶中氧沉淀的熟化.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論