普通和摻氮的重?fù)缴橹崩鑶尉У难醭恋硇袨?pdf

1、重?fù)缴橹崩杵粡V泛地用于外延硅片的襯底，而外延硅片的內(nèi)吸雜能力取決于襯底硅片的氧沉淀，因此研究重?fù)缴橹崩杵难醭恋硇袨榫哂兄匾膶嶋H意義。到目前為止，關(guān)于重?fù)缴橹崩杵难醭恋淼难芯窟€很少報道。在直拉硅單晶中重?fù)缴闀鹁Ц駪?yīng)力并對影響點缺陷濃度，因而重?fù)缴橹崩杵难醭恋硇袨榕c輕摻直拉硅片的會有所差異。本文利用掃描紅外顯微術(shù)以及擇優(yōu)腐蝕結(jié)合光學(xué)顯微術(shù)研究了普通和摻氮的重?fù)缴橹崩鑶尉У难醭恋硇袨?，得到了如下結(jié)果： 對比研究

2、了普通和摻氮的重?fù)缴橹崩鑶尉е械脑醭恋淼拈L大行為，發(fā)現(xiàn)摻氮的重?fù)缴橹崩鑶尉е械脑醭恋肀绕胀ㄖ負(fù)缴橹崩鑶尉е械拿芏雀叨页叽绺螅醪秸J(rèn)為這是由于前者可以在更高的溫度下形成而且被氮雜質(zhì)與空位和氧形成的復(fù)合體所促進(jìn)，因而形成的原生氧沉淀的密度更高且有更長的時間長大。 研究了高溫快速熱處理(RTP)對重?fù)缴橹崩杵械脑醭恋淼南谧饔?。結(jié)果表明，重?fù)缴橹崩杵械脑醭恋斫?jīng)三次1200℃/60s的RTP可被有效地

3、消除。 通過對比研究重?fù)缴橹崩杵洼p摻N型直拉硅片經(jīng)過低溫(450-800℃)和高溫(1000℃)兩步退火的氧沉淀行為，闡明了低溫退火對重?fù)綋缴橹崩杵难醭恋硇魏说淖饔?。研究指出：重?fù)缴楣杵?50℃和650℃退火時的氧沉淀形核比在800℃退火時更顯著，這與輕摻硅片的情況截然相反；此外，與輕摻硅片相比，重?fù)缴楣杵?50℃和650℃退火時氧沉淀的形核得到增強(qiáng)，而在800℃退火時氧沉淀的形核受到抑制。認(rèn)為重?fù)缴楣杵?50℃和