版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、由于太陽能來源豐富,綠色環(huán)保等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是最具有前景的可再生能源。太陽能電池是一種可以將太陽能轉(zhuǎn)化為電能的器件。在所有化合物太陽能電池中,CIGS(Cu2InGaSe4)電池效率最高,已經(jīng)接近多晶硅電池效率。然而,CIGS薄膜太陽電池也面臨一些問題。比如,其中的一種組成元素In是稀有元素,不僅價格昂貴而且具有毒性。導(dǎo)致其大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)受到限制。
Cu2ZnSnS4(CZTS)是利用Zn和Sn來取代CIGS中的In和Ga,用
2、S取代其中的Se。不僅能降低成本,而且更加環(huán)保。CZTS電池因?yàn)槠浣M成元素儲量豐富價格低廉,具有降低未來電池商業(yè)成本的潛在能力。
本文采用了硫化氫和硫粉兩種不同硫源來硫化磁控濺射制備的Zn/Sn/Cu(CZT)金屬前驅(qū)體,成功地制備了CZTS薄膜。并通過一系列表征手段來研究不同硫化溫度、不同硫化時間以及不同預(yù)處理溫度和不同預(yù)處理時間對最終制備得到的CZTS薄膜的結(jié)構(gòu)性能、表面形貌、元素比例和光學(xué)性能等的影響。
采用硫
3、化氫作為硫源,研究了不同硫化時間和溫度對CZTS薄膜的性能影響。發(fā)現(xiàn)所有樣品都具有(112)擇優(yōu)取向。當(dāng)硫化溫度為500℃時,隨著硫化時間的增加,透射率的吸收邊逐漸向長波段移動。而光學(xué)帶隙則會隨著硫化時間的增加而逐漸降低。CZTS薄膜的表面形貌隨著硫化溫度的升高變得平整致密,但溫度過高會導(dǎo)致其晶界出現(xiàn)微裂紋。540℃下硫化2h的樣品表面晶粒最大可達(dá)2μm,且具有最佳的結(jié)晶性。各個溫度下所制備得到的CZTS薄膜在可見光范圍內(nèi)(400~80
4、0nm)的光學(xué)吸收系數(shù)都大于7×104cm-1。
采用硫粉作為硫源,在硫化前增加對金屬前驅(qū)體的預(yù)處理工藝,研究了不同預(yù)處理溫度和時間對CZTS薄膜性能的影響。所有薄膜都具有(112)晶面擇優(yōu)生長。預(yù)處理可以有效減少Sn元素的揮發(fā)。所有不同溫度預(yù)處理后的樣品的反射率和透射率(除200℃預(yù)處理樣品在700~850nm)均低于未預(yù)處理樣品。隨著預(yù)處理時間的增加,CZTS薄膜的光學(xué)帶隙不斷減小。
最后在最佳的預(yù)處理時間和溫度
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 硫化條件對cu2znsns4薄膜結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能影響的研究
- Cu2ZnSnS4薄膜及其器件研究.pdf
- 離子液體輔助沉積Cu2ZnSnS4薄膜.pdf
- 粉末涂敷法制備Cu2ZnSnS4薄膜.pdf
- Cu2ZnSnS4薄膜的溶膠—凝膠法制備及其性能研究.pdf
- Cu2ZnSnS4光電薄膜的電沉積制備與物理性能研究.pdf
- 電沉積法制備CuIn(Se,S)2,Cu2ZnSnS4薄膜及其結(jié)構(gòu)性能研究.pdf
- Cu2ZnSnS4納米顆粒及其薄膜的制備和光伏性能研究.pdf
- Cu2ZnSnS4和SnS薄膜的制備及應(yīng)用研究.pdf
- Cu2ZnSnS4薄膜太陽能電池材料的制備和性能研究.pdf
- Cu2ZnSnS4納米結(jié)構(gòu)的形貌調(diào)控振動特性研究.pdf
- 形貌可控的Cu2ZnSnS4納米材料的制備與光電性能研究.pdf
- Cu2ZnSnS4薄膜及其太陽電池的濺射法制備和性能研究.pdf
- 溶膠—凝膠法制備銅鋅錫硫(Cu2ZnSnS4)薄膜的研究.pdf
- 纖維鋅礦Cu2ZnSnS4納米晶的合成及其光電性能研究.pdf
- Cu2ZnSnS4薄膜的一步電沉積可控制備及其光電性能研究.pdf
- Cu2ZnSnS4及Cu2ZnSnSe4納米晶的制備及其性質(zhì)研究.pdf
- Cu2ZnSnS4納米晶熱注射法制備及性能研究.pdf
- 新型Cu2ZnSnS4材料的制備及其光催化性能的研究.pdf
- Cu-Sn-S及Cu2ZnSnS4薄膜的連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法制備及光電性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論