冶金硅太陽(yáng)電池的P-N結(jié)制造工藝分析與優(yōu)化.pdf

1、用常規(guī)絲網(wǎng)印刷技術(shù)研制冶金物理法提純的多晶硅太陽(yáng)電池。針對(duì)冶金硅片的少子壽命低，采用短時(shí)間磷吸雜工藝使原始硅片的少子壽命從0.8-0.9μs提高到1.26-1.44μs。用液態(tài)源單面擴(kuò)散磷摻雜的方法制得P-N結(jié)。經(jīng)過優(yōu)化擴(kuò)散工藝與常規(guī)化學(xué)擴(kuò)散工藝的對(duì)比實(shí)驗(yàn)，得到與冶金硅電池相符的最佳擴(kuò)散工藝條件:擴(kuò)散溫度806℃、攜帶源氮?dú)饬髁?100ml/min、氧氣流量1100ml/min、保護(hù)性氮?dú)饬髁?5000ml/min、通源時(shí)間23min。

2、擴(kuò)散后電池的方塊電阻平均為67.3Ω/□(□)，比優(yōu)化前的電池增加了16.2Ω/(□)□，明顯改善了冶金硅電池的P-N結(jié)特性。將優(yōu)化擴(kuò)散工藝用于小批量電池的生產(chǎn)，經(jīng)電池在線測(cè)試給出，優(yōu)化擴(kuò)散條件后冶金硅電池的平均轉(zhuǎn)換效率從16.43％提高到16.60％，電池的開路電壓平均值達(dá)到0.6334V、短路電流平均值達(dá)到8.10A、填充因子平均值為76.48％。測(cè)試給出20％的電池仍有負(fù)12伏的反向漏電，超過常規(guī)指標(biāo)，主要源于冶金硅原始片的電阻率