晶體硅異質結太陽電池表面及薄膜層制備與光學性能研究.pdf

1、晶體硅異質結太陽電池是一種由非晶硅薄膜與晶體硅材料構成的半導體器件，其中晶體硅部分一般為N型摻雜，它具有開路電壓高、轉換效率高、長時間曝光溫度穩(wěn)定性等特點，具有良好的應用前景。本文報告我們就晶體硅異質結太陽電池表面及薄膜層的制備及光學性能開展的初步研究，以期為晶硅異質結太陽電池國產化開發(fā)提供參考。
　　 本文分別運用兩步制絨法、PECVD及磁控濺射技術完成了N單晶硅片表面制絨、氫化非晶硅及ITO薄膜的制備;并采用反射率儀、橢偏儀

2、、紫外-可見分光光度計、量子效率儀等測試分析了其光學性能，結果表明:
　　 1) N-Si在20wt％ KOH、85℃雙面各刻蝕20μm時損傷層去除完全，硅片雙面各刻蝕12μm后在2wt％KOH，5vol％IPA，70℃下腐蝕30～35min，得到較規(guī)則的金字塔，表面反射率降至11％，制絨后仍有優(yōu)質的a-Si∶H鈍化效果，太陽電池量子效率在可見光范圍內達到95％以上。
　　 2)氫化非晶硅薄膜光學性能對厚度變化很敏感。a

3、-Si∶H薄膜隨沉積厚度增加，折射率增加、光學吸收系數(shù)在近紫外波段降低而在可見光范圍內增加、禁帶寬度降低;p型a-Si∶H薄膜沉積厚度增加時，折射率增加、光學吸收系數(shù)在短波段降低而在可見光范圍內先增后減、光學禁帶寬度先減后增;n型a-Si∶H薄膜隨沉積厚度增加，折射率增加。單雙面太陽電池量子效率表明，雙面電池比單面電池具更優(yōu)性能。
　　 3)玻璃襯底上濺射的ITO薄膜在250℃、氧氣氬氣比為3/10000、60W、沉積30min