TD-LTE-Advanced發(fā)射機(jī)中低通濾波器和上混頻器的設(shè)計(jì).pdf

1、隨著通信技術(shù)的高速發(fā)展，移動(dòng)通信經(jīng)歷了從模擬到數(shù)字、從2G到4G的演進(jìn)。中國(guó)主導(dǎo)制定的TD-LTE-Advanced標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成為4G國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)之一，并且在2013年12月4日，中國(guó)工信部正式向三大移動(dòng)通信運(yùn)營(yíng)商發(fā)放了4G牌照，正式宣告了中國(guó)4G時(shí)代的到來(lái)。
　　低通濾波器和上混頻器是射頻發(fā)射機(jī)的核心電路。本課題采用TSMC0.13-μm RFCMOS工藝設(shè)計(jì)了用于TD-LTE-Advanced射頻發(fā)射前端的低通濾波器和上變頻器。

2、r>　　本課題首先對(duì)濾波器的分類、逼近方法進(jìn)行了詳細(xì)的分析，并且詳細(xì)比較了各種不同的綜合方法。本文中低通濾波器的主體電路采用基于五階切比雪夫低通原型的有源Gm-C結(jié)構(gòu)，電路中的核心跨導(dǎo)單元采用折疊式共源共柵OTA結(jié)構(gòu)。在1.2V電源電壓下，帶寬達(dá)到20MHz，通帶紋波小于0.4dB，功耗小于20mW。
　　本課題分析了上混頻器的基本原理和結(jié)構(gòu)，針對(duì)混頻器的噪聲、線性度等性能以及各個(gè)電路單元的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)的分析。本課題中混頻器核心