TD-LTE-Advanced接收機中低噪聲放大器和下混頻器的設(shè)計.pdf

1、移動通訊網(wǎng)絡(luò)發(fā)展迅速，從1G網(wǎng)絡(luò)到2G網(wǎng)絡(luò)，再到現(xiàn)在已經(jīng)相當(dāng)普及的3G，隨著人們的需求日益提高，移動通訊網(wǎng)絡(luò)會繼續(xù)迅速的發(fā)展下去，4G是第四代移動通信及其技術(shù)的簡稱，是集3G與WLAN于一體并能夠傳輸高質(zhì)量視頻圖像以及圖像傳輸質(zhì)量與高清晰度電視不相上下的技術(shù)產(chǎn)品。與3G網(wǎng)絡(luò)相比，4G網(wǎng)絡(luò)的下載速度，上傳速度，應(yīng)用等方面均有了很大的提升。移動通訊網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展對通信系統(tǒng)中的接收機有了越來越高的要求，因此接收機中的射頻芯片成為研究的熱點。本

2、文對應(yīng)用于TD-LTE-Advanced系統(tǒng)接收機中的低噪聲放大器(Low Noise Amplifier，LNA)與混頻器(Mixer)進(jìn)行了研究與設(shè)計。
　　 本課題采用了SMIC0.13-μm RF CMOS工藝設(shè)計了應(yīng)用于TD-LTE-Advanced系統(tǒng)接收機中的LNA。本課題介紹了低噪聲放大器中的指標(biāo)，介紹了幾種常用的輸入匹配方式，并詳細(xì)分析LNA各個部分的設(shè)計過程。本課題設(shè)計的LNA是以源極電感負(fù)反饋結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的，

3、并且引入了負(fù)反饋電阻以及并聯(lián)峰化技術(shù)，從而起到了擴(kuò)展帶寬的作用。本課題設(shè)計的LNA的指標(biāo)為:S21＞15dB，S11＜-10dB，S22＜-10dB，NF＜3.5dB。
　　 本課題采用了SMIC0.13-μm RF CMOS工藝設(shè)計了應(yīng)用于TD-LTE-Advanced系統(tǒng)接收機中的Mixer。本課題介紹了Mixer中的指標(biāo)，介紹了Mixer的指標(biāo)對接收機性能的影響，介紹了幾種常用的Mixer的結(jié)構(gòu)，并詳細(xì)分析Mixer各個部