SiGe BiCMOS工藝Ku波段低噪聲放大器和混頻器RFIC設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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1、隨著設(shè)計(jì)水平和應(yīng)用要求的不斷提高，無(wú)線通信系統(tǒng)向著小型化和集成化方向發(fā)展。片上系統(tǒng)(System on Chip,SoC)成為業(yè)界焦點(diǎn)。近年來(lái)，SiGe BiCMOS片上系統(tǒng)的全集成設(shè)計(jì)己成為國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)界和工業(yè)界研究的熱點(diǎn)。 基于Ku波段的數(shù)字電視衛(wèi)星廣播(DVB-S)地面接收機(jī)，本文研究了工作頻率在12.25GHz-12.75GHz的射頻前端單元電路低噪聲放大器(LNA)和有源雙平衡混頻器(active double-bala

2、nce Mixer)，并在此基礎(chǔ)上采用JAZZ 0.35μm SiGeBiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)了流片，為以后實(shí)現(xiàn)Ku波段DVB-S接收系統(tǒng)的單片化集成做好技術(shù)儲(chǔ)備。 本文先介紹了SiGe BiCMOS射頻集成電路的發(fā)展背景及其國(guó)內(nèi)外動(dòng)態(tài)，然后簡(jiǎn)單介紹了JAZZ 0.35μm SiGe BiCMOS工藝元件以及元件模型與電路設(shè)計(jì)的關(guān)系，再分別詳細(xì)論述了低噪聲放大器和有源雙平衡混頻器的基本設(shè)計(jì)原理和具體設(shè)計(jì)過(guò)程，其中包括指標(biāo)的確定、電路

3、的仿真和版圖的優(yōu)化設(shè)計(jì)。最后對(duì)所做的設(shè)計(jì)工作做一個(gè)總結(jié)。 所設(shè)計(jì)的低噪聲放大器在12.25GHz-12.75GHz寬頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)了3.75dB～3.9dB的噪聲系數(shù)和15dB的平坦增益，輸入輸出匹配S<,11>S<,22>優(yōu)于-10dB，而功耗僅為19.2mW，面積為0.7×0.7m<'2>。 所設(shè)計(jì)的混頻器在12.25GHz-12.75GHz寬頻帶內(nèi)僅以36mW功耗和0.9×0.9m<'2>的芯片面積實(shí)現(xiàn)了低于6.5dB

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