基于CMOS和BiCMOS工藝的低噪聲放大器與混頻器研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年，隨著無線通信設備的大量普及，射頻收發(fā)機作為其核心部分，正不斷的朝著寬帶、低成本、高集成度以及小型化方向發(fā)展。基于CMOS工藝的60GHz短距離無線通信技術具有超寬帶、超高速等優(yōu)點，對消費者具有相當大的吸引力。同時，為降低無線通信設備的成本，工程師們正利用BiCMOS工藝實現(xiàn)射頻收發(fā)機單片集成。但不論是高速還是低成本，低噪聲放大器和混頻器作為射頻接收機重要的兩個部件，其性能對整個接收機都具有較大的影響。本文作者設計了60GHz CM

2、OS工藝低噪聲放大器、2.4GHz BiCMOS可重構低噪聲放大器以及2.4GHz差分低噪聲放大器與混頻器。主要研究內(nèi)容如下：
　　1、設計完成了一款基于IBM90nm CMOS工藝的60GHz低噪聲放大器芯片，其工作頻帶為58-64GHz，增益約為18dB、噪聲系數(shù)大約為4.8dB、電流小于24mA；
　　2、設計完成了一款基于IBM0.35um SiGe BiCMOS工藝的2.4GHz單端可重構低噪聲放大器芯片，其具有高

3、、低增益以及旁路三種工作模式。當工作在高增益模式時，其增益大于18dB、噪聲系數(shù)低于2dB、電流小于3mA；處于低增益模式時，其增益大于10dB、噪聲系數(shù)低于3dB、電流小于1.5mA；而工作在旁路模式時，其相當于一個開關，插入損耗低于3dB、噪聲系數(shù)低于3dB。同時，該芯片還具有靜電放電保護功能；
　　3、設計完成了一款基于IBM0.35um SiGe BiCMOS工藝的2.4GHz全差分低噪聲放大器和混頻器，其轉換增益大于27

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