基于RF CMOS工藝的低噪聲放大器的研究與設(shè)計(jì).pdf

1、隨著無線通信技術(shù)的高速發(fā)展，人們對(duì)于無線通信產(chǎn)品的需求也更加廣泛。作為整個(gè)系統(tǒng)的核心，高性能高速度低功耗的通信芯片的技術(shù)突破也越來越受到重視。因此對(duì)于射頻電路的研究具有重大的意義。低噪聲放大器是射頻接收機(jī)的一個(gè)重要模塊，其位于整個(gè)系統(tǒng)的最前端。其功能主要是對(duì)天線所接收到的射頻微弱信號(hào)進(jìn)行第一級(jí)的放大，濾波。輸出后端電路所需要的高頻信號(hào)。由于處于第一級(jí)，其噪聲系數(shù)，增益，線性度對(duì)整個(gè)芯片的功能具有至關(guān)重要的影響。
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2、MC0.18μm RF CMOS工藝的器件進(jìn)行了分析，并對(duì)低噪聲放大器的參數(shù)指標(biāo)進(jìn)行了分析和研究。同時(shí)進(jìn)一步對(duì)低噪聲放大器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入探討，選取源極電感負(fù)反饋結(jié)構(gòu)作為本次設(shè)計(jì)的低噪聲放大器的基本結(jié)構(gòu)。最后給出了一種基于CMOS工藝的低噪聲放大器的實(shí)現(xiàn)電路。利用Cadence公司的Spectre RF軟件對(duì)電路進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明，文中給出的利用源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)的低噪聲放大器電路能夠達(dá)到所要求的目標(biāo)。其中增益達(dá)到了20dB，噪聲