射頻MOSFET噪聲模型研究及CMOS工藝低噪聲放大器設計.pdf

1、MOS場效應管自上世紀60年代被研制成功后，因其具有集成度高、功耗低的優(yōu)點，且截止頻率不斷提高，現(xiàn)在已被廣泛應用于單片射頻集成電路中。其小信號噪聲等效電路模型表征了器件的高頻噪聲特性，利用該模型不僅可以指導電路設計者將電路設計的更加合理，而且可以指導芯片制造者做出更高性能的器件，因此MOS場效應管噪聲建模以及模型參數(shù)提取技術已經(jīng)成為近幾年國內外的研究熱點。 對0．13μm MOSFET噪聲建模和參數(shù)提取技術進行了研究，首先，使用

2、開路短路法剝離掉焊盤和外圍連接導線的影響從而得到本征器件的散射參數(shù)。然后通過半優(yōu)化法得到模型的小信號參數(shù)并驗證。在精確地提取了小信號模型參數(shù)之后，利用噪聲相關矩陣技術從測量的散射參數(shù)和射頻噪聲參數(shù)直接提取了柵極感應噪聲電流i2g，溝道噪聲電流i2d和它們的相關系數(shù)，并用PRC模型中的參數(shù)來表示。將參數(shù)提取結果帶入ADS中進行仿真，在2～8 GHz頻段上仿真結果與測量數(shù)據(jù)吻合良好。 利用TSMC0．18μm CMOS工藝實現(xiàn)了5．