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文檔簡介
1、 本論文采用的是臺灣集成電路制造公司(TSMC)的0.18umCMOS工藝，通過對幾種低噪聲放大器結(jié)構(gòu)的分析，提出了以源極電感和柵極電感作為輸入阻抗匹配，在此經(jīng)典的cascodeLNA電路結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，又引入一個中間電感，消除了中間寄生電容的影響，使得所設(shè)計的LNA的增益和線性度比以往有所提高，而通過限定功耗的噪聲優(yōu)化方法，使我們的LNA有較小的功耗的同時噪聲也較小?！ ”菊撐乃O(shè)計的1GHz的差分結(jié)構(gòu)低功耗CMOSLNA采用了EDA
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