CMOS低噪聲放大器的分析研究.pdf

1、隨著無(wú)線通信技術(shù)的迅猛發(fā)展和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的不斷提高，使得基于CMOS工藝的無(wú)線射頻集成電路(RFIC)得到廣泛應(yīng)用，并向著低功耗、小尺寸、高度集成方向發(fā)展。在點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線通信頻段中，7.1～7.9GHz是最有可能用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的，因此本文設(shè)計(jì)了工作在此頻段上基于CMOS工藝的窄帶低噪聲放大器。
　　 低噪聲放大器(Low Noise Amplifier,LNA)作為整個(gè)射頻接收系統(tǒng)第一級(jí)，直接影響著整個(gè)

2、系統(tǒng)的性能。它的主要功能就是將從天線接收到的微弱信號(hào)進(jìn)行放大，同時(shí)將其輸出給后級(jí)的混頻器，這個(gè)過(guò)程中引入的噪聲必須很低，如果信號(hào)在這級(jí)引入較大的噪聲或者沒(méi)有將信號(hào)放大，那么其后的射頻模塊將無(wú)法對(duì)有用信號(hào)進(jìn)行處理，所以在應(yīng)用中低噪聲放大器必須提供足夠的增益以抑制后續(xù)級(jí)模塊的干擾信號(hào)，同時(shí)滿足最佳的噪聲系數(shù)，提供良好的線性度，使其在較大的信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)保證系統(tǒng)工作的正常運(yùn)行。
　　 文章首先介紹了選題背景、研究意義以及國(guó)內(nèi)外對(duì)低噪聲

3、放大器的研究現(xiàn)狀。
　　 其次在總結(jié)了相關(guān)文獻(xiàn)資料的基礎(chǔ)上，對(duì)放大器主要性能參數(shù)，二端口網(wǎng)絡(luò)的噪聲理論和MOSFET管噪聲模型作了分析，通過(guò)對(duì)常見(jiàn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的比較，選擇電感源極負(fù)反饋電路，結(jié)合MATLAB軟件具體分析功耗約束條件下最佳MOS管柵寬的選擇方法。
　　 接著用微波射頻電路仿真軟件ADS設(shè)計(jì)了單級(jí)共源放大器、共柵放大器和共源共柵放大器，比較三種放大器性能的優(yōu)缺點(diǎn)，得出只有共源共柵放大器可以做到噪聲和功率同時(shí)匹配，