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文檔簡介
1、低噪聲放大器(LNA)位于射頻接收前端的第一級，它的噪聲特性將大大影響整個射頻接收系統(tǒng)的噪聲性能。然而已有的LNA噪聲優(yōu)化方法中沒有考慮柵極寄生電阻產(chǎn)生的熱噪聲對LNA噪聲性能的影響，因此，本文主要研究當考慮柵極寄生電阻和柵-源額外電容時，共源共柵源極電感負反饋CMOS LNA的噪聲系數(shù)優(yōu)化方法。
本文通過分析LNA的結構，基于LNA的噪聲性能及CMOS工藝的考量，選擇了共源共柵源極電感負反饋結構作為LNA的基本結構，然后
2、根據(jù)噪聲理論，建立其高頻小信號等效噪聲電路模型，最后對小信號模型進行分析，利用二端口噪聲理論，推導出噪聲系數(shù)的統(tǒng)一數(shù)學表達式。
在恒增益、恒功耗以及恒增益恒功耗下對LNA的噪聲系數(shù)進行優(yōu)化，并且與以前提出的方法進行比較，最后在ADS中搭建小信號電路，對噪聲系數(shù)的三種優(yōu)化方法進行驗證仿真。
本文完成了基于恒功耗下的2.4GHz0.18um CMOS LNA的電路設計，采用ADS進行仿真。仿真結果為：S11=-2
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