寬帶射頻接收機前端低噪聲放大器設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)概念的引入與發(fā)展，越來越多的通信標(biāo)準(zhǔn)不斷涌入市場。為了滿足市場需求，可兼容多個標(biāo)準(zhǔn)、多個頻段的射頻移動通信終端應(yīng)運而生。而寬帶低噪聲放大器(LNA)作為無線射頻接收機的第一級，其良好的性能是實現(xiàn)正常通訊的重要保障，所以研究寬帶CMOS低噪聲放大器意義重大。
　　 本文對寬帶CMOS低噪聲放大器進行了深入研究，設(shè)計了一個0.2～6GHz寬帶低噪聲放大器。首先分析了RF CMOS工藝中常用元器件的高頻寄生效應(yīng)，論述了低

2、噪聲放大器幾個重要指標(biāo)：噪聲、線性度、阻抗匹配。第二，分析常見的低噪聲放大器的拓撲，選用共柵結(jié)構(gòu)作為輸入級并提出本設(shè)計的主體結(jié)構(gòu)，針對設(shè)計要求給出具體的設(shè)計方法。第三，采用Cadence下的SpectreRF仿真工具對設(shè)計電路進行前仿真。最后，采用Cadence下的版圖設(shè)計工具Virtuso Layout Editor，完成了寬帶LNA的版圖設(shè)計。
　　 本設(shè)計基于SMIC0.18μm RF CMOS工藝，所設(shè)計的寬帶低噪聲放大

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