SiGeBiCMOS超寬帶低噪聲放大器研究設計.pdf

1、半導體工藝技術不斷發(fā)展，器件截止頻率越來越高，使得基于SiGe BiCMOS工藝的MMIC單片微波集成電路在性能上逐漸接近基于 GaAs工藝的單片集成電路。SiGe器件的噪聲性能好，開關速度快，效率高易集成的優(yōu)勢令其成為當下研究的熱點和趨勢。在微波射頻接收機中，系統(tǒng)第一級模塊電路即為低噪聲放大器，其對接收機通道的性能是決定性的。所以研究設計具有優(yōu)異噪聲系數(shù)、增益、輸入匹配和線性度指標的低噪聲放大器對MMIC的發(fā)展至關重要。
　　本

2、文首先介紹了超寬帶低噪聲放大器的研究背景，講述了SiGe HBT模型、二端口網(wǎng)絡S參數(shù)與噪聲分析以及超寬帶技術，包括SiGe HBT等效電路、噪聲源與噪聲模型，基本工具史密斯圓圖，寬帶匹配技術和帶寬展寬技術等，為后續(xù)電路設計，版圖優(yōu)化與結果分析提供理論基礎。
　　隨后詳細講解了超寬帶低噪聲放大器的性能指標、電路結構選擇、設計思路并介紹該電路中偏置電壓與帶隙基準的設計與應用。在此基礎上講解基于Jazz0.18μmSiGe BiCMO

3、S工藝在Cadence仿真平臺下所設計的超寬帶低噪聲放大器。本文詳細講述了電路結構分析與版圖設計優(yōu)化，并完成電路的前仿真、后仿真與仿真結果分析對比。
　　最后介紹了電磁仿真與芯片測試的工作，把握射頻集成電路設計中的關鍵與難點，對最終電路各項指標的測試結果進行詳細的理論和工程實踐分析，并提出了進一步優(yōu)化電路性能的方法?；趯y試結果的分析和同類論文研究成果的對比，預估電路的優(yōu)化空間。
　　本文較為詳細和完備地講述了超寬帶低噪聲

4、放大器的設計流程與思路，也有較多的理論與實踐分析，對工藝庫有良好的把握，對同類型芯片的設計具有一定的參考意義。最終電路的仿真結果為輸入匹配S11<-12.6dB，工作頻段覆蓋X波段與 Ku波段，反向隔離度 S12<-47.5dB，功率增益19.8dB15dB且較為平坦，輸出匹配S22