GaAs寬帶單片低噪聲放大器研究.pdf

1、砷化鎵（GaAs）基單片微波集成電路性能優(yōu)異、可靠性高，得到廣泛應(yīng)用。微波成像、無線通信、雷達(dá)探測、射電天文等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，對微波電路的小型化、高性能、低功耗等方面的要求不斷提高。單片低噪聲放大器(LNA)作為接收機(jī)的第一級有源電路，其性能對接收機(jī)的噪聲和靈敏度至關(guān)重要。
　　本文對工藝模型進(jìn)行了研究，并對電感、電容進(jìn)行模型參數(shù)提取和驗(yàn)證。在模型研究的基礎(chǔ)上，利用0.18μm砷化鎵PHEMT工藝，設(shè)計(jì)了一款Ku波段單片低噪聲放大

2、器，該LNA為三級級聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。采用自偏置技術(shù)，以方便芯片測試及使用。低噪放第一級采用源極負(fù)反饋技術(shù)，使最佳噪聲阻抗和輸入共軛匹配阻抗更接近，同時提高電路的穩(wěn)定性。低噪放后兩級采用并聯(lián)反饋技術(shù)，以改善低噪放的增益平坦度。電路的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)滿足最佳噪聲匹配并保證良好的端口駐波比，級間匹配網(wǎng)絡(luò)將前級的輸出與后級的輸入直接匹配，有效減小了芯片面積，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)將輸出級匹配到50歐姆，以利于芯片在模塊中使用。文中用到的無源器件模型研究方法及電路