基于GaAs HEMT的低噪聲放大器設計與實現(xiàn).pdf

1、本文對基于GaAs HEMT的X波段的低噪聲放大器的電路設計、電路仿真、版圖設計以及電路的測試、調(diào)試進行了探討，研究了基于GaAs HEMT的低噪聲放大器的特性和CAD設計優(yōu)化技術(shù)，設計了匹配電路，偏置電路，拓撲結(jié)構(gòu)，基本上實現(xiàn)了低噪聲、高增益的要求。 本研究首先闡述了基于GaAs HEMT低噪聲放大器的一些相關理論，如：二端口網(wǎng)絡、傳輸線的分類、微帶線的特點以及噪聲等的相關理論；分析了微波放大器常用的幾種電路形式，針對本課題研

2、究的寬帶低噪聲放大器選擇了平衡型結(jié)構(gòu)的電路形式；通過分析二端口網(wǎng)絡的低噪聲和寬帶匹配理論，得出兩級匹配網(wǎng)絡的低噪聲和高增益匹配設計形式。該低噪聲放大器工作頻率在8-12GHz，采用兩級放大的拓撲結(jié)構(gòu)，設計軟件采用ADS系統(tǒng)，對輸入匹配、級間匹配和輸出匹配設計了針對性地匹配網(wǎng)絡，每一級放大根據(jù)設計的結(jié)果，針對噪聲系數(shù)、增益和輸入輸出駐波比一同進行優(yōu)化，待每一級設計達到指標要求，再進行兩級電路的級聯(lián)優(yōu)化。隨后，根據(jù)HEMT LNA的特性，設