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文檔簡介
1、作為一種新型的非易失性存儲技術(shù),磁性隨機存儲器MRAM(Magnetic Random Access Memory)因為其高集成度、低功耗、高速讀寫能力等優(yōu)點而受到各界的廣泛關(guān)注。經(jīng)過十多年的演變磁性隨機存儲技術(shù)的核心已經(jīng)發(fā)展到一種稱作MTJ(Magnetic tunnel junction)的結(jié)構(gòu),它能夠在外加磁場方向變化的情況下基于電子發(fā)生隧穿磁電阻效應而使得MTJ在宏觀上呈現(xiàn)高阻和低阻兩種狀態(tài)。因此開發(fā)能夠測試MTJ在外加磁場變化
2、下電阻變化的測試系統(tǒng)顯得尤為必要。
本文重點研究并開發(fā)了基于LabVIEW的垂直磁各向異性MTJ測試系統(tǒng)。論文首先介紹了垂直磁各向異性MTJ測試系統(tǒng)的開發(fā)背景與意義,虛擬儀器開發(fā)技術(shù)以及圖形化編程語言LabVIEW的突出特點。然后簡述作為磁性隨機存儲器核心器件的MTJ的工作原理,描述了LabVIEW程序的組成結(jié)構(gòu)與開發(fā)流程。接著詳細描述測試系統(tǒng)的硬件組成與架構(gòu),測試系統(tǒng)的軟件程序?qū)y試工作的流程控制。結(jié)尾部分還給出了使用這套測
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