非極性GaN材料的生長及退火溫度研究.pdf

1、由于常規(guī)的GaN是在極性c面藍寶石上面生長的，具有較強的極化效應，它對于高電子遷移率的晶體管是有用的，但對于光電器件確實是危害很大的。由極化引起的內建電場使能帶產生彎曲傾斜，還會使正負載流子在空間上分離，電子與空穴波函數(shù)交迭變小，輻射復合效率變低，從而影響材料的發(fā)光效率。為了消除上述問題，可以生長非極性a面GaN材料但非極性a面GaN材料的生長質量很差，位錯密度高?；诖?，本文做了如下研究：
　　1.通過自主研發(fā)的MOCVD系統(tǒng)在

2、r面藍寶石襯底上面生長了非極性a面GaN薄膜。通過研究溫度和壓力對非極性a面GaN生長質量的影響，發(fā)現(xiàn)在生長溫度為1020，生長壓力為80Torr時，生長的非極性a面GaN的質量相對較好，位錯較低。
　　2.為了降低O濃度，做出效果好的p型摻雜，本文提出了一種Ⅴ-Ⅲ比漸變式的非極性GaN生長結構，Ⅴ-Ⅲ比分別為1000,1580,2550。該結構生長的非極性a面GaN材料質量和低Ⅴ-Ⅲ比時的非極性a面GaN材料質量相當。