ZnO基薄膜的制備及其紫外光電導(dǎo)特性研究.pdf

1、ZnO是一種重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料，它具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱學(xué)穩(wěn)定性。在室溫下，它的禁帶寬度為3.37eV，激子束縛能高達(dá)60meV。所以它在光電技術(shù)方面的應(yīng)用成為當(dāng)今研究的熱點，同時在短波長發(fā)光器件，壓電器件，光探測器件以及太陽能電池等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
　　本論文闡述了ZnO薄膜的各種制備技術(shù)及原理，并概括了ZnO薄膜研究的最新進(jìn)展。在石英襯底上采用射頻磁控反應(yīng)濺射的方法沉積ZnO薄膜，并采用X射線衍射(XRD)、

2、掃描電子顯微鏡（SEM）、紫外-可見光譜分析等方法對不同氧氬比、不同襯底溫度和不同濺射氣壓生長出的ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和光電性能進(jìn)行了表征，研究了不同樣品的紫外光電導(dǎo)性能。接著為了改善ZnO薄膜的紫外光電導(dǎo)性能，對薄膜表面進(jìn)行改性。主要包括：表面重金屬改性、表面N摻雜、表面AlN包覆層和表面TiO2包覆層。并對各種表面改性方法制備的薄膜的紫外光電導(dǎo)特性進(jìn)行分析比較。研究發(fā)現(xiàn)，表面極薄的金屬層能夠使ZnO薄膜的響應(yīng)度增加2-5倍，而表面N摻雜