6061鋁合金微弧氧化起弧前氧化沉積層生長過程研究.pdf

1、目前針對微弧氧化理論的研究主要集中在陶瓷層的生長階段，對于起弧前氧化沉積層的生長過程的研究涉及甚少，本文以6061鋁合金為研究對象，借助X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、電化學工作站及能譜(EDS)等手段，研究了6061鋁合金表面晶界和表面粗糙度以及電解液成分對鋁合金微弧氧化起弧前氧化沉積層生長規(guī)律的影響，定性的分析和總結了沉積層生長的一般規(guī)律，并通過計算機元胞算法建模對理論分析進行了驗證。
　　研究結果表明：陽極鋁

2、合金表面粗糙度越大，電場的不均衡分布程度越強，起弧時間越短，表面晶界為通電初期提供了更多的電導缺陷，促進了沉積物的產生和生長。電解液中的陰離子為OH-、PO43-、SiO32-等時，與陽極產生的鋁離子結合生成難溶解且電阻值較高的化合物，使微區(qū)局部電流密度增加，引發(fā)起弧放電，氫氧根的存在更有利于提高電流的不均衡分配并促進放電。電解液中的陰離子為氯離子類時，陽極電解產生的鋁離子與陰離子結合生成易溶解且阻值較低的化合物氯化鋁，這類化合物不會引