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1、隨著Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步，微波單片集成電路也變得尺寸更小、成本更低、功耗更小、噪聲更低、功率密度更大，所以越來(lái)越廣泛的應(yīng)用在現(xiàn)代通信、雷達(dá)系統(tǒng)和導(dǎo)彈制導(dǎo)等電子裝備上。本論文采用砷化鎵工藝分別對(duì)低噪聲放大器和高效率功率放大器的設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究，主要的研究?jī)?nèi)容如下：
設(shè)計(jì)了一款工作頻率為2.0～2.15GHz的4W微波單片功率放大器。電路采用兩級(jí)放大拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，選用砷化鎵0.25um pHEMT工藝，利用負(fù)載牽引技術(shù)得到放
2、大管在最佳輸出功率時(shí)的輸出阻抗，設(shè)計(jì)匹配電路，保證放大器有最大輸出功率。功率放大器的末級(jí)采用Bus-Bar結(jié)構(gòu)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)直流饋電與功率合成，即保證了末級(jí)合成效率也方便實(shí)現(xiàn)漏極的大電流饋電。最終版圖仿真結(jié)果，在2.0～2.15GHz的頻率范圍內(nèi)，輸出功率大于36dBm，增益大于35dB，效率大于40％。
設(shè)計(jì)了一款8mm波段（24～40GHz）微波單片低噪聲放大器，電路采用三級(jí)放大鏈路，選用砷化鎵0.15um pHEMT工藝，輸
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