基于非晶氧化物薄膜晶體管的AMOLED像素電路及集成柵極驅(qū)動電路的設(shè)計.pdf

1、有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED)顯示被認(rèn)為是下一代主流的顯示技術(shù)。面向AMOLED顯示發(fā)展所需的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)技術(shù),非晶氧化物半導(dǎo)體,如銦鎵鋅氧(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO),成為關(guān)注的熱點(diǎn)。本論文重點(diǎn)研究基于IGZO TFT的AMOLED像素電路和集成柵極電

2、路的設(shè)計。
　　在AMOLED像素電路方面,首先分析影響顯示效果的三個因素,包括TFT的閾值電壓漂移,OLED器件的性能衰退以及電壓源上的電壓降,以及相應(yīng)的電路補(bǔ)償方法。最后提出一個新的AMOLED像素補(bǔ)償電路。電路仿真結(jié)果表明該電路能很好的消除這三個影響因素。
　　在集成柵極驅(qū)動電路方面,首先總結(jié)了目前集成柵極電路設(shè)計主要采用的三種方法:浮接?xùn)艠O技術(shù)、串聯(lián)雙TFT技術(shù)以及雙時鐘技術(shù)。進(jìn)一步對這三種技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了對比分析