600V功率VD-MOSFET器件仿真.pdf

1、垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Vertical Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)簡(jiǎn)稱(chēng)VD-MOSFET。VDMOS具有輸入阻抗高、輸入電流小、驅(qū)動(dòng)功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)速度高、熱穩(wěn)定性好、無(wú)二次擊穿等優(yōu)點(diǎn)，大量應(yīng)用于電源設(shè)備、電子開(kāi)關(guān)、電子鎮(zhèn)流器等各種場(chǎng)合高壓分立器件和高壓功率集成電路中，因此對(duì)VDMOS器件設(shè)計(jì)和仿真具

2、有重要意義。
　　本文闡述了VDMOS的國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀。在了解VDMOS結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，根據(jù)半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)知識(shí)，設(shè)計(jì)了一款閾值電壓為2.5～3.0V，擊穿電壓為600V的VDMOS器件?？紤]硅晶圓片利用率和光刻掩膜版制備難易程度，VDMOS選用方形元胞結(jié)構(gòu)。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)出工藝制造流程方案和光學(xué)掩膜版，并對(duì)器件進(jìn)行了工藝制造模擬。選取合適的物理模型，還對(duì)VDMOS進(jìn)行轉(zhuǎn)移特性、輸出特性、擊穿特性仿真;以及分析外界因素