600V VDMOS器件的仿真與分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、VDMOS器件是新一代電力電子開關(guān)器件。無論是開關(guān)應(yīng)用還是線性應(yīng)用，都是理想的功率器件，是當前半導體分立器件的高端產(chǎn)品，應(yīng)用范圍廣，市場需求大，發(fā)展前景好。它主要應(yīng)用于電機調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關(guān)、高保真音響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等領(lǐng)域，所以VDMOS器件的設(shè)計和研制具有實用價值。本文借助TSUPREM4和MEDICI兩個模擬工具對VDMOS器件元胞進行了仿真和分析并對VDMOS器件元胞進行了結(jié)構(gòu)設(shè)計和模擬。 本文首先

2、對600V VDMOS器件元胞進行工藝仿真，分析了VDMOS器件元胞的工藝步驟，借助TSUPREM4編寫了仿真程序并給出仿真結(jié)果。接著對VDMOS器件進行電特性仿真，借助MEDICI詳細分析了溝道調(diào)整注入對器件特性的影響，證明溝道調(diào)整注入能有效降低準飽和效應(yīng)；詳細分析了柵長對VDMOS器件電特性的影響，為VDMOS器件元胞尺寸設(shè)計提供指導；詳細分析了P阱工藝參數(shù)對VDMOS器件閾值電壓的影響，通過仿真發(fā)現(xiàn)溝道長度小于0．8μm時，短溝道

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