700V高壓VDMOS器件設(shè)計(jì).pdf

1、VDMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是國(guó)外80年代迅速發(fā)展起來(lái)的一種新型功率器件。具有開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好、無(wú)二次擊穿等優(yōu)點(diǎn)，可用于AC/DC開(kāi)關(guān)電源、激光電源、等離子電源、雷達(dá)電源、不間斷電源及電機(jī)調(diào)速等領(lǐng)域。在節(jié)能和國(guó)民經(jīng)濟(jì)及軍用方面具有廣泛的前景及良好的社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益。目前VDMOS需要解決的主要問(wèn)題是高耐壓下導(dǎo)通電阻大的問(wèn)題。
　　 本文的研究目標(biāo)是在特定高耐壓下盡量降低導(dǎo)通電阻，從而降低能耗。通過(guò)硅限理論確定了VDM

2、OS元胞的外延層摻雜、外延層厚度和特征導(dǎo)通電阻。通過(guò)Silvaco公司開(kāi)發(fā)的TCAD軟件平臺(tái)，利用ATHENA物理模型工藝仿真工具對(duì)氧化、刻蝕、擴(kuò)散、離子注入、薄膜淀積等進(jìn)行VDMOS工藝虛擬制造，使用ATLAS器件特性仿真工具進(jìn)行了VDMOS結(jié)構(gòu)參數(shù)驗(yàn)證。
　　 本文所設(shè)計(jì)的VDMOS擊穿電壓實(shí)際為800V，開(kāi)啟電壓為1.2V，特征導(dǎo)通電阻為0.16Ω·cm2，達(dá)到設(shè)計(jì)要求。本文的研究?jī)?nèi)容對(duì)實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件及制備工藝的模擬設(shè)