兼容700V LDMOS的BCD工藝中若干問題的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文設(shè)計了一種700V高壓LDMOS的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝，主要面向中小功率單片智能功率集成電路的設(shè)計應(yīng)用。在分析當(dāng)前工藝開發(fā)面臨的挑戰(zhàn)以及傳統(tǒng)的工藝開發(fā)的基礎(chǔ)上，本文提出了利用Silvaco公司的集成TCAD(Technology Computer Aided Design)環(huán)境Virtual Wafer Fab進(jìn)行新工藝開發(fā)的思想，利用其工藝仿真軟件Athena和器件仿真軟件Atlas模擬工藝開發(fā)流程，完

2、成整個BCD工藝的研究與開發(fā)。 在國內(nèi)許多論文提出的BCD工藝中，也對兼容700V LDMOS的BCD工藝進(jìn)行了詳細(xì)的闡述，但其主要是系統(tǒng)粗略的分析，實用性不強(qiáng)。本文通過對BCD工藝開發(fā)中遇到的幾個問題進(jìn)行了深入的研究，并制定了完整的BCD工藝流程，為高壓BCD工藝的實用性打下基礎(chǔ)。 從工藝的應(yīng)用領(lǐng)域、電路規(guī)模以及器件結(jié)構(gòu)特點出發(fā)，本文主要考慮了器件之間的隔離、高壓LDMOS制作中溝道的制作方式及其開漏輸出PAD上ESD

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