功率VDMOS器件結構與優(yōu)化設計研究.pdf

1、VDMOS是微電子技術和電力電子技術融和起來的新一代功率半導體器件。它與早期的MOS管不同，結構上采取了許多改進，因而具有開關速度快、輸入阻抗高、負溫度系數(shù)、低驅動功率、制造工藝簡單等一系列優(yōu)點，在電力電子領域得到了廣泛的應用。目前，國際上已形成規(guī)?；a(chǎn)，而我國在VDMOS設計領域則處于起步階段，因此對VDMOS器件的物理特性及電學特性的研究與建模有著重要實際意義。
　　 本文設計了擊穿電壓分別為60V、100V、500V時的

2、VDMOS分立器件。首先闡述了VDMOS器件的基本結構和工作原理，描述和分析了器件設計中各種電性能參數(shù)和結構參數(shù)之間的關系。通過理論上的經(jīng)典公式來確定VDMOS的外延參數(shù)、單胞尺寸和單胞數(shù)量、終端等縱向和橫向結構參數(shù)的理想值。然后采用ISE軟件對器件特性進行模擬和驗證，通過對器件耐壓、閾值電壓與導通電阻的模擬來對前面計算得到的各個器件參數(shù)進行優(yōu)化，從而得到設計的最優(yōu)值。接下來根據(jù)結構參數(shù)，利用L-edit版圖繪制軟件分別完成了能夠用于實