高壓功率VDMOS終端結(jié)構(gòu)研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文對(duì)VDMOS功率器件的結(jié)構(gòu)及擊穿特性進(jìn)行了詳細(xì)的分析，并在此基礎(chǔ)上，將CAD技術(shù)應(yīng)用在半導(dǎo)體器件模擬方面，確立了襯底濃度、結(jié)深、表面電荷濃度等與擊穿電壓的關(guān)系曲線。建立了場(chǎng)限環(huán)、場(chǎng)板終端結(jié)構(gòu)理論分析模型，以不計(jì)表面電荷的傳統(tǒng)分析方法為基礎(chǔ)，更加準(zhǔn)確地建立了考慮表面電荷的柱面結(jié)電場(chǎng)分布，并根據(jù)場(chǎng)限環(huán)的優(yōu)化條件，建立了場(chǎng)限環(huán)表面電荷效應(yīng)優(yōu)化模型，給出了優(yōu)化環(huán)間距的歸一化解析解，該模型的分析更加接近實(shí)際的工藝環(huán)境，得出的結(jié)論也更具實(shí)用價(jià)值

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